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2009年7月10日 星期五

「研究開発者を30%増やす」,台灣TSMCが2009年の研究開発方針を発表

台積電(TSMC)2009年7月6日在橫濱召開新聞發佈會,公佈了2009年的研發方針等。Jack Sun(研發副總裁)發表了演講。

  Jack Sun表示,過去台積電的研發主要針對尖端CMOS技術。今後,將建立包含3個支柱的研發體制,除尖端CMOS技術外,還將包括“特殊/衍生”技術及封裝 技術。另外,特殊/衍生技術是指尖端CMOS以外的各種技術,包括RF、模擬、雙極/功率、CMOS圖像感測器及MEMS等。

  為擴大研發範圍,將把研開人員由現在的1800人增加30%。研發費用也將比現在增加20%。另外,研發將針對工藝技術和設計技術兩方面進行。

  此外,Jack Sun還宣佈,該公司已啟動研發用22nm生產線及TSV(Through Silicon Via)研發用300mm生產線、在比利時的魯汶設立了研發基地、將參與法國半導體研究機構CEA- LETI的“多電子束曝光研究計劃”等。

  另外,Jack Sun還介紹了28nm製程的進展情況。如利用28nm低功耗工藝試製的64Mbit SRAM已經成功動作。28nm試製品將於2010年開始生產,2011年開始量產。首先將從小批量開始。(記者:小島 郁太郎)

■日文原文
「研究開発者を30%増やす」,台灣TSMCが2009年の研究開発方針を発表

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